인공지능 및 빅데이터 기반의 다양한 데이터 중심 시스템이 발전함으로 인하여, 이러한 시스템의 구현에 사용되는 시스템 반도체 및 메모리 반도체들의 데이터 처리 성능이 비약적으로 향상되었고, 이러한 반도체들 간에 주고받는 데이터의 양도 기하급수적으로 증가하였다. 

따라서 현재 반도체(칩) 간 데이터 통신에 사용되는 초고성능 인터커넥트 시스템은 레인 당 56Gb/s 이상의 데이터 전송률을 지원할 것이 요구되고 있다. 또한 차세대 112Gb/s급의 인터커넥트가 시스템 반도체 분야 선도사들을 중심으로 연구 중이며, 근 미래에 레인 당 200-250Gb/s의 데이터 전송률을 달성해야 할 것으로 예상되고 있다. 

그림: 인터커넥트 구조와 데이터 전송률 발전 경향

앞으로 시스템 반도체 분야의 산업 경쟁력을 유지하기 위해서는, 요소 분야들의 핵심 기술을 세계 최고 수준으로 확보하는 것이 필수적으로 요구되며, 초고속 인터커넥트는 가장 중요한 핵심 요소 기술 중에 하나로, 본 연구는 초고속 인터커넥트 분야에서 5년 후 미래 최고 수준인 레인 당 250Gb/s 급의 전송률을 달성하는 인터커넥트 설계 기술을 개발함으로서, 시스템 반도체 분야에서 단기간 내에 기술 선도적 지위를 확보하는 것을 목표로 한다. 

이를 위해, 점진적, 구성 요소 위주의 연구가 아닌, 전체 시스템 설계 관점에서 인터커넥트 전 분야 (채널, 시그널링, 회로 설계) 연구를 동시 진행하여, 전송 속도 향상폭을 극대화하는 전략을 사용한다. 본 연구가 성공적으로 수행되면, 초고속 인터커넥트 분야에서 선도적인 수준의 기술력을 확보하여 국가 시스템 반도체 발전에 크게 기여할 것으로 예상된다.