GIST, 균일한 양자막대 배열 10 ㎚ 미만 하이브리드 반도체 전선 개발
GIST, 균일한 양자막대 배열 10 ㎚ 미만 하이브리드 반도체 전선 개발
광주과학기술원(GIST)은 이은지 신소재공학부 교수팀이 전도성 고분자 결정화 속도를 제어해 양자막대 위치와 정렬, 배향을 균일하게 제어할 수 있는 하이브리드 나노전선 제조 기술을 개발했다고 5일 밝혔다.
이 교수팀은 전도성 고분자에 양자막대와 결합 가능한 블록을 도입하고 용액공정을 적용, 이종용매 확산계수를 고려해 고분자 결정화 속도를 조절하고 양자막대가 균일하게 배열된 하이브리드 전선을 성공적으로 제조했다.
연구팀은 10 나노미터(㎚) 미만 반도체 전선의 초미세 구조는 삼차원 투과전자현미경 분석법으로 확인했다. 나노전선 생성 여부와 전도성 고분자의 결정화, 결정도, 양자막대 위치, 균일한 배열 구조를 규명했다. 전자 주개인 전도성 고분자와 전자 받개인 양자막대가 교대 배열을 갖는것으로 나타났다.
